(1)化合物半導體晶體的禁帶寬度要能夠用來獲得所希望的發(fā)光波長。

　　(2)發(fā)光材料能容易制成pn二極管，各個結層的晶格常數α要匹配。做成所謂DH層(Double Hetero Layer)，但兩側晶格常數α必須一致。

　　(3)以禁帶寬度的材料夾著活性層發(fā)光區(qū)域的兩側，活性層的帶隙比覆面層的帶隙小，活性層的折射率比覆面層的折射率大，所發(fā)光很容易由內部出射。

　　(4)能有穩(wěn)定的物理及化學結構。結晶的離子性高，禁帶帶寬E也較大，熔點也較高，所成的化合物半導體晶體材料能在較高溫度環(huán)境下工作，如GaP、AlP、GaN等化合物的半導體。

　　(5)有直接遷移帶或間接遷移帶的晶體。發(fā)光區(qū)域多為直接遷移帶隙材料，其有較高的發(fā)光效率。電子(空穴)的移動度也比間接遷移帶隙材料要高。

　　能滿足上述LED條件的材料有Ⅲ一V族元素，如鎵和砷的GaAs化合物，鎵和磷的GaP化合物，鎵、砷和磷的鎵砷磷化合物GaAsP，鋁鎵砷ALGaP的化合物，鎵和氮的GaN化合物。

　　一般在周期表中位于同一周期的元素，其價電子數由左至右逐一增加，例如以第Ⅳ族的鍺為中心，其左邊的鎵少一個價電子，而右邊的砷多一個價電子。因此，Ⅲ一V族的結合(即GaAs)在化學上和第IV族的Ge和Si一樣具有同樣的性質。這種化合物稱為III-V族化合物，