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光耦合器的封裝結(jié)構(gòu)和技術(shù)

目錄:解決方案星級(jí):3星級(jí)人氣:-發(fā)表時(shí)間:2013-07-15 13:44:00
RSS訂閱 文章出處:光耦網(wǎng)責(zé)任編輯:光耦合器作者:Alex

 

1、光耦合器的關(guān)鍵技術(shù)

  光耦通常采用 46、8 16引腳的各式 DIP 封裝,在DIP封裝工藝流程中,光耦封裝還需要復(fù)雜和費(fèi)時(shí)的過(guò)成型(overmolding)處理,包括目視預(yù)耦合、耦合對(duì)準(zhǔn)、點(diǎn)膠填充透明樹(shù)脂、清除多余樹(shù)脂等工序,將增加光耦封裝的時(shí)間和費(fèi)用。以多路小型24引腳DIP封裝光耦為例,介紹其工藝流程:陶瓷基片制作→厚膜電路制作→燒結(jié)壓焊→管芯測(cè)試→耦合對(duì)準(zhǔn)→中測(cè)→裝架→封裝→檢漏→老化篩選→成測(cè)→打標(biāo),制作工藝的關(guān)鍵①選用優(yōu)質(zhì)的高速GaAlAs紅外 LED和硅光敏三極管芯片,保證 PCT 的一致性,提高光耦的可靠性;②采用 A1203 陶瓷基片,導(dǎo)帶用鈀金絲網(wǎng)印刷,陶瓷金屬化封裝③嚴(yán)格控制燒結(jié)壓焊工藝,操作中選用合適溫度與時(shí)間,盡量保證兩類管芯的極限使用條件④壓焊采用金絲球焊,工藝操作中嚴(yán)格把握各個(gè)步驟的清潔度,以保證引線鍵合質(zhì)量⑤多路獨(dú)立腔體完全分離,互不干擾,使每路傳輸獨(dú)立工作,實(shí)現(xiàn)極佳的電隔離;⑥設(shè)計(jì)中管芯合理布局,以適應(yīng)散熱要求,紅外LED的熱沉選用純度為99%的BeO陶瓷載體,熱沉能充分對(duì) LED 工作時(shí)產(chǎn)生的熱量散發(fā),使 LED 在超溫下也正常工作,并延長(zhǎng)其壽命,降低其反向漏電流。單路 4 引腳塑封光耦的工藝技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單,用導(dǎo)電漿料將紅外LED 和光敏三極管管芯粘接在各自對(duì)位的框架上,中 25lLm 金絲壓焊鍵合電極內(nèi)引線,將發(fā)光與光敏受光框架對(duì)齊,使其發(fā)光與受光的光學(xué)中心一致,兩框架間用高耐壓,導(dǎo)光透明的硅樹(shù)脂填充,然后用白色環(huán)氧樹(shù)脂包封。導(dǎo)光透明硅樹(shù)脂的選定對(duì)光耦 CTR Vlso 的影響極大,采用反射涂層覆蓋光涂層的導(dǎo)光透明硅樹(shù)脂,使光傳輸?shù)焦饷羝骷妮椛淞窟_(dá)到最大。 光耦的技術(shù)參數(shù)可分為輸人部分、輸出部分、傳輸特性、隔離特性等幾大部分,主要有紅外LED 的正向壓降 VF、正向電流 IF、功率耗散PD、光敏三極管的集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集成極-發(fā)射極飽和壓降 VCEsat)、功率耗散 PD、整個(gè)器件的 CTR、VISO(有時(shí)也用 RISO、出人間電容 CISO 表示)等。此外,在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí),還需考慮上升時(shí)間 tr、下降時(shí)間 tf、延遲時(shí)間 ton、存儲(chǔ)時(shí)間 ts 等參數(shù)。CTR 是光耦的重要參數(shù),與晶體管的 hFE 有某種相似之處。VISO 光耦的另一個(gè)重要特性,在輸入和輸出間提供電隔離,有時(shí)也稱其為厚度。光耦的這兩大主要參數(shù) CTR VISO 通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制作技術(shù)來(lái)體現(xiàn),盡可能提高 CTR值動(dòng)態(tài)范圍和 VISO 光耦 CTR VISO 都與紅外 LED 及光敏三極管之間距離相關(guān),距離增大時(shí),VISO 提高,CTR 下降;距離縮小時(shí),CTR 提高,VISO 降低。為解決這一矛盾,除選擇光發(fā)射與光敏三極管管芯的距離和硅樹(shù)脂提高耐壓外,還改進(jìn)光耦內(nèi)部的發(fā)光與光敏管芯的相對(duì)位置及光傳輸通道結(jié)構(gòu),從平面結(jié)構(gòu)發(fā)展到上下堆疊結(jié)構(gòu),并列共面結(jié)構(gòu),不同結(jié)構(gòu)導(dǎo)致框架和封裝形式的變化,確保光信號(hào)的有效傳輸。平面結(jié)構(gòu)是將兩種管芯置于同一個(gè)平面上,其內(nèi)封裝涉及到兩層膠,最內(nèi)層為透明硅樹(shù)脂,外層是緊貼內(nèi)層的很薄一層反射膠,內(nèi)外兩層膠均采用點(diǎn)膠形式,確保封裝膠表面的平滑,光信號(hào)通過(guò)反射層輸?shù)焦饷羧龢O管光敏面上,傳輸過(guò)程中因反射會(huì)產(chǎn)生一定的光損失,CTR 有所下降,但封裝成本降低。另可利用基極引端來(lái)改變光耦的 CTR 值。上下堆疊結(jié)構(gòu)將兩種管芯安放在上、下對(duì)位的框架上,紅外 LED 堆疊在光敏三極管管芯上,光信號(hào)直接傳輸?shù)焦饷羧龢O管的光敏面上,不用反射,其內(nèi)封裝只涉及到一層膠,傳輸效率高于平面結(jié)構(gòu)。并列共面結(jié)構(gòu)是將兩種管芯左右并列對(duì)位安放,可提供增強(qiáng)的隔離厚度和較低的封裝電容,同時(shí)不會(huì)影響光傳輸效率,并大幅度降低封裝外殼高度和在印刷電路板上的占位面積,尤其適合微型扁平封裝外殼用,但需重新設(shè)計(jì)引線框架與耦合穹頂,選用較小面積的管芯。 VISO 是由兩種管芯間的絕緣距離及框架結(jié)構(gòu)位置、尺寸確定的,其變化也直影響到 CTR。采用填充高耐壓、導(dǎo)光透明的內(nèi)封裝硅樹(shù)脂,在滿足耐壓要求的情況下,變換絕緣距離,可制作不同 CTR 值的系列產(chǎn)品。在要求高耐壓時(shí),兩種管芯之間的絕緣距離盡可能增大,提高 VISO。內(nèi)封裝硅樹(shù)脂的耐壓特性和光譜特性分別對(duì)光耦的絕緣距離、CTR 值的影響極大,一般品種的硅樹(shù)脂耐壓為 17kVmm,通用型光耦要求 VISO 25kV 左右,發(fā)光與光敏管芯最短距離為04mm,對(duì)封裝時(shí)框架間距、管芯、焊料都要求精密控制。總而言這,內(nèi)封裝硅樹(shù)脂的耐壓特性制約了絕緣距離的最小值,而其光譜特性限制了絕緣距離最大值。此外,硅樹(shù)脂本身對(duì)濕度、溫度,隨時(shí)間增加的劣化等環(huán)境的穩(wěn)定性,對(duì)光耦性能也有一定影響,因而有些特殊產(chǎn)品采用空氣封裝,通??辗鈺r(shí)的 VISO6kVmm,但 CTR 值高。光耦的封裝結(jié)構(gòu)有獨(dú)特之處,技術(shù)上延用集成電路封裝,一些特性是在元器件、材料選取時(shí)確定的,在選擇技術(shù)線路時(shí),需要結(jié)合實(shí)際應(yīng)用綜合考慮、設(shè)計(jì)。

 

2、光耦合器封裝結(jié)構(gòu)
 
光耦
的封裝結(jié)構(gòu)大體分為內(nèi)封裝與外封裝兩大部分,將光發(fā)射器和光敏器管芯、集成電路芯片、封裝材料以及封裝外殼設(shè)計(jì)、制作技術(shù)的有機(jī)結(jié)合,不同的結(jié)構(gòu)組合可形成各種各樣的光耦,極大地豐富了光耦的品種,派生出各種型號(hào)產(chǎn)品,有按性能、封裝結(jié)構(gòu)、輸出形式、用途等幾種不同的分類方法。按光耦封裝結(jié)構(gòu)的外殼類型的分類如表 1 所示,其目的是將光耦的內(nèi)部電路與外界相隔離密封,以免受到外界的干擾,同時(shí)可提高光耦的可靠性,并使整個(gè)光耦外形尺寸、性能規(guī)范化,同一型號(hào)的光耦往往采用多種獨(dú)特的封裝形式,滿足應(yīng)用場(chǎng)合的要求。簡(jiǎn)而言之,從內(nèi)部的光電器件管芯、光傳輸結(jié)構(gòu)到外部的封裝結(jié)構(gòu)外殼,不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)具有各自的特點(diǎn),通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),改善光耦的內(nèi)外部結(jié)構(gòu),可生產(chǎn)出實(shí)際應(yīng)用所需的特性。光耦內(nèi)封裝的作用是形成內(nèi)部的信號(hào)傳輸體系,提高器件的電籽睦,還可從其內(nèi)部光敏探測(cè)器管芯結(jié)構(gòu)來(lái)分類,具體情況如表2所示。

  

 

 



其中每一種類型也可細(xì)分,例如,硅光敏三極管輸出型光耦可分為無(wú)基極連接,基極與集極
并聯(lián)連接,兩只光敏三極管(一只用于伺服反饋機(jī)制上),二級(jí)光敏三極管組合而成的達(dá)林頓管、電阻達(dá)林頓管、光敏場(chǎng)效應(yīng)管、多路腔體隔離單通道等多種輸出形式。光耦的封裝結(jié)構(gòu)包括內(nèi)部固定光發(fā)射器與光敏器件的附著框架及距離、位置、合理布局結(jié)構(gòu),光信號(hào)傳輸?shù)墓馔ǖ篮婉詈像讽斀Y(jié)構(gòu),不同的光傳輸結(jié)構(gòu),其內(nèi)封裝的形式也存在差異,多與其他半導(dǎo)體器件有不同的構(gòu)架。光耦的封裝雖獨(dú)特,但應(yīng)用要求光必須高效率地從輸入端耦合到輸出端,通過(guò)改進(jìn)結(jié)構(gòu),提高整個(gè)光耦的綜合性能。

 

 

 

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