億光的可控硅光耦系列光耦，輸出主要是以三端可控硅為主，控制端主要是由鋁砷化鎵紅外LED組成，通過光耦至硅檢測器芯片，其中有采用4引腳封裝的、5引腳封裝、6引腳封裝，輸入之前輸出端的隔離電壓達到了7.5KV AC（PEAK）。這樣的參數(shù)幾乎可以滿足國內(nèi)外的電壓115/220V電源路線上的，并通過可控硅控制負載。

　　AIGaAs LED 10 mA時的標稱正壓降為1.3V，反向擊穿電壓大于3V。通過LED的電流最大值為60mA。關斷狀態(tài)下，兩個方向上的檢測器量最小阻斷電壓均為250 Vdc。處于通態(tài)時，檢測器可在兩個方向上流過100 MA電流，并且通過器件的壓降低于3 V。一旦觸發(fā)進入導通狀態(tài)后，即使無電流流過LED。檢測器也會保持不動，直到端點電流下降至低于維持電流（典型值為100μA），此時檢測器會反轉(zhuǎn)為關斷狀態(tài)。

　　超過正向阻斷電壓、電壓沿檢測器以超過靜態(tài)dv/dt速率斜升、或者通過LED發(fā)出光電都能使檢測器觸發(fā)進入導通狀態(tài)。通過規(guī)格保證LED觸發(fā)檢測器的觸發(fā)性能，使其在流過LED的電流等于或者高于IFT（max）時將檢測器觸發(fā)為導通狀態(tài)。例如，EL300XXM要求至少10mA LED電流，以保證開啟。而類似的器件EL30XXM系列具有完全相同的特性，但僅需5 MA 即可觸發(fā)。